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应用风起云涌 氮化镓功率电子器件停顿如何?

应用风起云涌 氮化镓功率电子器件停顿如何?

文章内容:

以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体资料引发全球注目,成为全球半导体钻研开发的前沿和热点。从国际合作角度看,美、日、欧等兴隆国家已将第三代半导体资料列入国家方案,并展开片面战略陈列,欲抢占战略制高点。

氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频次、更低的导通电阻等劣势,并可与老本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与打点系统、电动机车、工业电机等领域具有宏大的开展潜力。

2017年11月1-3日,在科技部、发改委、工信部及北京政府等相关部门大力撑持下,由第三代半导体财富技术创新战略联盟和中关村科技园区顺义园打点委员会主办的2017国际第三代半导体论坛(IFWS 2017)将在北京·顺义·首都机场希尔顿酒店盛大举行。并与SSL国际系列论坛在中国地区的年度盛会--第十四届中国国际半导体照明论坛同期同地举行。

应用风起云涌 氮化镓功率电子器件进展如何?



会议以促进第三代半导体与电力电子技术、挪动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交换与竞争,引领第三代半导体新兴财富的开展标的目的为流动目标,设有“碳化硅资料与器件”、“氮化镓功率电子器件”、“SiC/GaN电力电子封装、模块与牢靠性”、“第三代半导体与微波射频技术”、“第三代半导体与固态紫外器件”、“超宽禁带半导体及其它新型半导体资料”六场专题技术分会。片面笼罩行业根底钻研、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、庸俗应用的创新开展,提供全球范围的全财富链竞争平台。

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此中“氮化镓功率电子器件”分会,主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延构造与生长、氮化镓电力电子器件的新构造与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设想与制造,氮化镓功率应用与牢靠性等。分会宽泛征集良好钻研成就,将邀请国表里知名专家插抄本次会议,充裕展示氮化镓电力电子器件钻研与应用的最新停顿。

据组委会走漏,目前氮化镓功率电子器件专场分会,阵型已渐露阵容,大腕云集,看点十足。本次分会接纳主席+分会团的形式,此中,香港科技大学教授陈敬和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生钻研所纳米测试中心钻研员,苏州纳维科技有限公司董事长徐科将独特担当分会主席,同时,分会成员星光熠熠,独特为分会提供最坚实的支撑。

陈敬教授曾在日本NTT LSI尝试室和美国安捷伦科技处置惩罚III-V高速器件技术研发工作。他曾在国际期刊和谈判论文集中颁发300余篇论文,在GaN电子器件技术方面曾取得9项美国专利授权。他所率领的团队目前的钻研重点在于开发电力电子、无线电/微涉及耐高温电子应用等方面的GaN器件技术。他同时也IEEE会士,现为IEEE电子器件学会复合半导体器件与IC技术委员会成员。

徐科博士是___国家千人方案、国家超卓青年基金取得者。恒久围绕高质量氮化物半导体资料生长及相关生长配备和测试剖析仪器的钻研与研发。对氮化物半导体的MOCVD和MBE生长机理、氮化物的极性选择、极性控制有系统深刻钻研,分析了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响;近年来重点成长极低位错密度GaN和AlN单晶资料的氢化物气相外延(HVPE)生长钻研,完成2~4英寸氮化镓单晶衬底技术开发,并实现量产;成长了纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与配备研制,钻研了氮化物资猜中单个缺陷并摸索氮化物低维构造的别致物性。

分会委员李顺峰,北京大学东莞光电钻研院副院长,曾先后在德国卡尔斯鲁厄大学以及布伦瑞克工业大学处置惩罚III族氮化物及III-V化合物半导体资料、构造和器件的生长以及工艺的钻研和开发。参预和指导了欧盟第七框架项目、德国教育科研部以及德国钻研基金等多个项宗旨钻研。

分会委员陈鹏,南京大学教授。恒久专业处置惩罚半导体光电资料与器件的前沿创新性钻研,尤其对氮化物资料和光电子器件停止了系统且深刻的钻研,内容涵盖资料外延生长、构造表征、器件设想、芯片制备、器件应用和半导体照明工程等,获得了一批世界初创、国内当先的钻研成就。主持过3项、插手5项国际竞争项目,插手或主持国家“973”、“863”、自然基金等多项严峻钻研项目,申请国际创造专利7项,已获授权国际创造专利6项,申请国家创造专利30余项。主要钻研标的目的波及: III族氮化物半导体纳米构造钻研; III族氮化物半导体发光二极管,固态照明工程; III族氮化物半导体微电子学钻研;自支撑衬底及Si衬底上的III族氮化物半导体资料与钻研等。

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